CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。
碳化硅二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)与Si二极管相比,显著优点是阻断电压提高,几乎无反向恢复以及更好的热稳定性,且反向恢复特性不受温度影响。
碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性,具有较低的开关损耗和较高的工作频率,非常贴合电力电子的应用需求。
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件采用pGaN架构,具备常关型特征,与相应的硅(Si)器件相比,具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷,结合几乎为零的反向恢复电荷,可以支持更简单的拓扑结构,实现更高的系统效率。
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