龙腾半导体股份有限公司2009年7月13日成立于西安，是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售、服务的高新技术企业

公司自成立以来，始终将技术创新视为企业发展第一动力，累计申请自主知识产权300余项，制定超结MOSFET国家行业标准(NO:SJ/T9014.8.2-2018)，运营联合新型研发平台-交大-龙腾先进功率半导体技术研究院，建有一流的功率器件测试应用中心，专注提供高效、可靠、高性价比的功率器件及系统解决方案

公司在以超结MOSFET  为代表的高端功率半导体器件领域走出一条自主创新之路，形成了高压超结MOSFET、

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)、   屏蔽栅沟槽 (SGT)MOSFET、     低 压 沟 槽 (Trench)MOSFET、      离压平面 MOSFET 、SiCJBS&MOSFET    等6大产品系列，广泛应用于汽车电子、工业电子及消费电子等领域

功率器件、DVMOS 、SGT、SJ MOS 、IGBT、SiC MOSFET