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SiC MOSFET


碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性，具有较低的开关损耗和较高的工作频率，非常贴合电力电子的应用需求。

其宽禁带特性使得碳化硅MOSFET可以承受高温的极端工作环境，高热导率特性可减少功率器件所需散热装置的体积和数量，高临界击穿场强使得碳化硅MOSFET在保持耐压条件下有着更小的导通电阻，高饱和速度使其具有更高的开关频率和更优异的反向恢复特性


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