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GaN HEMT


氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件采用pGaN架构,具备常关型特征,与相应的硅(Si)器件相比,具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷,结合几乎为零的反向恢复电荷,可以支持更简单的拓扑结构,实现更高的系统效率。

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