ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件采用pGaN架构,具备常关型特征,与相应的硅(Si)器件相比,具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷,结合几乎为零的反向恢复电荷,可以支持更简单的拓扑结构,实现更高的系统效率。
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