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方案:FU6532
电压:8V-16V
驱动方式:无感FOC
控制方式:功率环
调速方式: PWM
保护:过流、欠压、过温、堵转、缺相
优点:外围元器件少,响应快、噪声小、效率高、方案整体成本低
方案:FT8132Q+(N+P)MOSFET+单电阻
电压:DC 9V-16.8V,功率43w
驱动方式:三相无感FOC
控制方式:电压环(3万转)
调速方式:pwm
保护:过压、欠压、缺相、过流、限流、堵转
优点:响应快、噪声小、效率高、方案整体成本低
MCU(方案1): FU6812L/FU6812X2 +FD2606+N MOSFET MCU(方案 2):FU6862L + N MOSFET
MCU(方案3):FU6562T + N MOSFET
MCU(方案4):FU6562L + N MOSFET
方案优点:超高转速、电磁噪音小 、
方案性比价高、高集成度
方案:FU6812S+FD2606+N MOSFET
电压:AC220V,20W-250W
驱动方式:单电阻无感FOC
控制方式:恒转矩、恒功率、恒风量
基本功能:面板通信、自动休眠、串口调速
保护:过压、欠压、缺相、过流(硬件过流、软件过流)
优点:启动快、高逆风、高静压
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