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SiC SBD


碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。

碳化硅二极管结合了肖特基结构所拥有的出色的开关特性和PiN结构所拥有的低漏电流的特点


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