ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
龙腾IGBT系列产品采用先进的场截止(Field-Stop)技术及沟槽栅结构,可以实现通态压降、开关损耗和器件鲁棒性的良好平衡。并采用特殊的IEGT结构,使IGBT的饱和电压降低,器件性能得到进一步优化。
产品特点
低的关断损耗Eoff低的饱和压降Vce(sat)10μs短路能力较宽的开关频率应用范围
上一篇:SiC MOSFET
下一篇:没有了