ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
采用华润微电子SGT工艺,GEN2制作工艺,产品具有极低的FOM表现,其RDS(ON)*QG参数表现较TRENCH工艺产品优化40%以上,产品适用于高频工作的CHARGER&ADAPTER次级同步整流。产品采用DFN5*6封装,可轻松实现与市场目前主流产品的PIN TO PIN替换应用为电源。
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