ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电流和击穿电压等性能良好折衷,并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力
产品特点:
击穿电压高比导通电阻低开关损耗低最大工作结温175℃
上一篇:中低压SGT MOSFET
下一篇:IGBT