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SiC MOSFET


龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电流和击穿电压等性能良好折衷,并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力

产品特点:

击穿电压高
比导通电阻低
开关损耗低
最大工作结温175℃


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