ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
龙腾超结MOSFET系列产品,采用深沟槽技术与多次外延技术制造,具有较低的导通电阻和栅极电荷,明显降低导通和开关损耗,特别适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
龙腾SGT MOSFET系列产品,采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术,产品具有低栅极电荷及快速柔软的反向恢复持性,产品电压涵盖30V~200V
龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品,采用小元胞设计JFET注入设计、领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构,使得导通电阻、泄漏电流和击穿电压等性能良好折衷
龙腾IGBT系列产品采用先进的场截止(Field-Stop)技术及沟槽栅结构,可以实现通态压降、开关损耗和器件鲁棒性的良好平衡。并采用特殊的IEGT结构,使IGBT的饱和电压降低,器件性能得到进一步优化。