ASIC
驱动IC
功率器件
MCU
IPM
IGBT
MOSFET
SiC SBD
SiC MOSFET
GaN HEMT
CRSS042N10N
功率IPM-CS5755AT
车规MOSFET
工业消费MOSFET
超结MOSFET
中低压SGT MOSFET
TP1E系类-单相高压半桥
TS8N系列-全集成
TP3S系列-三相高压全桥
蜂窝物联网芯片 R8018VR
有线物联网芯片 RPC2178
卫星通信芯片 R801TT
网关芯片 SF21X2880
网关芯片 SF21H8898
4G模组 CLM920_AC5 模块
NB-IoT模组
DTU CLP600
为客户提供电子产品应用解决方案和研发设计
放电模式
升压部分:低压侧H桥方波开环控制,高压侧H桥不控整流,在过压或空载时进入阵发模式
逆变部分:采用电压电流反馈控制,单极性SPWM调制,具备UPS模式
充电模式
PFC部分:采用电压电流双闭环控制,根据电池电压调节母线电压,使前级LLC工作在谐振点附近,提高效率,
降压部分:高压侧采用阵发+变频控制,低压侧同步整流;电池采用恒压恒流充
电方式
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